|
|
Centra rekombinace v semiizolačním CdTe
Zázvorka, Jakub ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Fiederle, Michael (oponent)
Název práce: Centra rekombinace v semiizolačním CdTe Autor: Jakub Zázvorka Katedra / Ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí diplomové práce: prof. Ing. Jan Franc, DrSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Abstrakt: Vlastnosti CdTe pro použití jako detektor záření jsou ovlivněny výskytem hlubokých hladin v zakazaném pásu. Tyto hladiny komplikují sběr náboje a účinnost detektoru. Bezkontaktní měření odporu (COREMA) představuje dobrou možnost charakterizace materiálu bez nutnosti nanášet kovové kontakty. Tato metoda časově závislého měření náboje byla prozkoumána na upravené aparatuře ve FMF Freiburg. Spočítáním teoretických modelů byl stanoven pravděpodobný model založený na zahýbání energetických pásů na povrchu vzorku a neexponenciální závislost transportu náboje v bezkontaktním měření. Jejich pomocí byly vysvětleny tendence výsledků měření a jejich možná spojitost s hlubokou pastí nebo rekombinačním centrem. Byla nalezena korelace mezi odporem, fotovodivostí a fotoluminiscencí pozorované hladiny v blízkosti středu zakázaného pásu. Profily parametrů byly vysvětleny teorií posuvu Fermiho meze relativně k hladině blízko středu zakázaného pásu. Na vzorcích vypěstovaných na MFF UK byly pozorovány tři hluboké hladiny, jejichž fotoluminiscence podporuje prezentovanou teorii a koreluje s profily odporu...
|
|
|
Mapování fotoelektrických jevů v semiizolačním CdTe
Korcsmáros, Gabriel ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Sedláková, Vlasta (oponent)
Dôvodom pre aplikáciu CdTe a CdZnTe materiálov pre detekciu Rentgenového žiarenia je fakt, že tieto prvky disponujú s vysokým atómovým číslom a hustotou, to má za dôsledok vysokú kvantovú účinnosť a schopnosť detekcie nízkoenergetických fotónov. Tieto vlastnosti je možné dosiahnuť pri izbovej teplote, preto tento materiál je obzvlášť vhodný pre detektory gamma žiarenia. Pre citlivosť detektoru sú hlavnými požiadavkami nízky temný prúd a vysoká hodnota súčinu pohyblivosti a doby života nosiča prúdu. Požadované vlastnosti sa darí dosahovať len v určitých častiach objemu kryštálu. Hľadanie príčin v zhoršení kvality a v zbere náboja patrí v súčasnej dobe k prioritám výskumu. Nehomogenity sú limitujúcim faktorom pre prípravu veľkoplošných matíc. Diplomová práca bude zameraná na vývoj metodiky mapovania fotovodivosti a smerníc lux-ampérových charakteristík s cieľom analyzovať plošné rozloženie defektov zodpovedných za elektrický odpor a dobu života nosičov. Výskum bude zameraný aj na porovnanie výsledkov z máp fotovodivosti získaných kontaktnou a bezkontaktnou metódou. Využitie fotovodivostnej spektroskopie umožňuje študovať transport náboja v konfiguráci a v podmienkach blízkych reálnej činnosti detektoru a charakterizovať vplyv hlbokých hladín na transport elektrónov a dier.
|
|
|
Vliv vnějších polí na elektrické pole a fotoproud detektorů CdTe
Rejhon, Martin ; Franc, Jan (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem polovodičových detektorů z materiálů CdTe a CdZnTe pracujících za vysokých toků záření. Experimentálně byl studován vliv vysokých toků Rentgenového a optického záření na tzv. polarizaci detektoru. Polarizace detektoru je jev snižující jeho efektivitu, při které je přiložené elektrické pole v detektoru stíněno prostorovým nábojem na hlubokých pastech vzniklým záchytem fotogenerovaných nosičů. Ke studiu elektrických polí v detektorech bylo užito metody zkřížených polarizátorů a Pockelsova jevu. Hlavním cílem práce bylo studovat možnosti optické depolarizace detektorů CdTe a CdZnTe pro různé energie fotonů přídavného osvětlení, studovat dynamiku této depolarizace a fyzikální podstatu. Bylo zjištěno, že detektory lze opticky depolarizovat nadgapovým světlem. Detektor CdZnTe navíc i blízkým infračerveným světlem a také v pulzním režimu. Depolarizace souvisí s kompenzací prostorového náboje na pastech.
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
Fotoelektrický transport ve vysokoodporovém CdTe pro detektory rentgenova záření
Dědič, Václav ; Šikula, Josef (oponent) ; Franc, Jan (vedoucí práce)
CdTe semiconductor is a good material for the construction of X-ray and gamma ray detectors. Its physical properties are strongly influenced by an existence of deep levels in the forbidden band. This thesis deals with an influence of deep levels to the photoelectric transport in high resistivity CdTe. Experimental part of this thesis consits of measurement of slopes of Lux-Ampere characteristics of variously doped CdTe samples depended on voltage and energy of excitation. Gradients of measured guidelines of Lux-Ampere characteristics show strong dependency on an electric charge accumulated on deep levels. This thesis also contains numerical models of photoconductivity for various parameters of material.
|
|
|
Vybrané staroegyptské prameny koptské religiosity
Franc, Jaroslav ; Gebelt, Jiří (oponent) ; Janák, Jiří (vedoucí práce)
Práce na téma Vybrané staroegyptské prameny koptské religiosity se zaměřuje na vystopování možné kontinuity náboženské symboliky staroegyptského náboženství v religiozitě koptské církve. Práce je vypracována na základě osobních zkušeností z prostředí koptské církve v Egyptě a ze studia odborných pramenů v knihovnách i v muzeích. Hlavní pozornost je věnována motivu kojící ženy - Esety, Isis, Panny Marie.
|
|
|
Fotoelektrická spektroskopie hlubokých hladin ve vysoko- odporovém CdTe
Kubát, Jan ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Sopko, Bruno (oponent)
CdTe is one of the most interesting X-ray and g-ray detectors' material. This work deals with influence of deep levels to photoelectric properties of CdTe. PICTS, Lux-Ampere and spectral dependences measurements at room temperature and low temperature 10K were performed on one undoped and several variously doped (Cl, Sn and Ge) samples and applied electrical fields up to 800V.cm-1. Experimental setups are introduced. Room temperature numerical solution of sample photoelectrical properties for typical midgap level using driftdiffusion and Poisson equation was performed and results are discussed. The experimentally observed slopes of Lux-ampere characteristics and energy shifts of the main photoconductivity peak with the applied voltage are explained based on a model of screening of electric field by charge accumulated on deep levels. Finally comparison with acquired experimental data is performed yielding estimates of maximum total concentration of deep levels in the samples.
|
host ::
RSS.