|
|
Electronic properties and structure of selected rare earth and uranium compounds: influence of impurities
Pospíšil, Jiří ; Sechovský, Vladimír (vedoucí práce) ; Schneeweiss, Oldřich (oponent) ; Sedmidubský, David (oponent)
Název práce: Elektronové vlastnosti a struktura vybraných vzácně zeminných a uranových sloučenin; vliv nečistot Autor: Jiří Pospíšil Abstrakt: Tato práce pojednává o studiu vlivu nečistot na magnetické a supravodivostní vlastnosti vybraných materiálů obsahujících prvky vzácných zemin a uran. Výzkum je zaměřen na definovanou přípravu studovaných materiálů, detailní chemickou a strukturní analýzu a na experimenty zaměřené na stanovení vzájemných relací mezi složením/čistotou materiálů a jejich magnetismem a transportními vlastnostmi. Výzkum byl veden dvěma směry - 1) příprava co nejčistších možných materiálů a 2) řízené dopování čistých materiálů. Pro studium byly vybrány 3 typy materiálů. SmPd2Al3 s komplexním magnetismem samaria a dosud nepřipravená sloučenina YPd2Al3 reprezentují vzácně zeminné materiály. UCoGe s kontroverzní koexistencí feromagnetismu a supravodivosti reprezentuje uranové materiály. Klíčovou technologíí celé práce je čištění kovů o co nevyšší komerční dostupné čistotě metodou Solid State Electrotransport (SSE). SSE proces byl aplikován také na sloučeninu UCoGe. Sloučenina SmPd2Al3 byla úspěšně připravena ve formě monokrystalu v průběhu této práce jako jediný existující krystal v současnosti. Detailní měření elektronových vlastností na připraveném krystalu dovolila studium anizotropního...
|
|
| |
|
|
Termodynamické a transportní vlastnosti materiálů na bázi Bi2Se3
Janíček, Petr ; Sechovský, Vladimír (vedoucí práce) ; Diviš, Martin (oponent)
Modifikovanou Bridgmanovou metodou byly připraveny monokrystaly Bi2Se3 s příměsí atomů manganu (obsah manganu cMn= 0-3,0.1019 atomů/cm3). Vzorky těchto krystalů byly charakterizovány rentgenodifrakční analýzou (XRD), měřením reflektivity v oblasti rezonanční frekvence plazmatu, stanovením teplotních a polních závislostí Hallovy konstanty a elektrické vodivosti, měřením teplotní a polní závislosti magnetického momentu a měřením teplotních závislostí měrných tepel. Změny studovaných veličin ukázaly, že příměs atomů manganu v krystalové struktuře vyvolává zvýšení koncentrace volných elektronů a také dochází ke zvýšení pohyblivosti volných elektronů. Z magnetických měření vyplývá valence manganu Mn2+. Tyto efekty jsou vysvětleny představami o bodových poruchách v krystalové struktuře studovaných krystalů. Je předpokládáno, že příměs Mn vytváří substituční poruchy typu Mn' Bi a zároveň snižuje koncentraci antistrukturních defektů Bi 'Se .
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
host ::
RSS.