Hlavní stránka > Výsledky hledání: recid:32110
Hledej:
 
Tipy pro vyhledávaní :: Jednoduché hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 1 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 

Could not find similar documents for this query.
Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
 Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel
Heteropřechody GaInP.sub.2./sub./GaAs byly pěstovány při teplotě 800.sup.o./sup.C epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English