Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"high resolution transmission electron microscopy"
Hledej:
 
Tipy pro vyhledávaní :: Jednoduché hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Studium samoskladby a stupně ionizace blokových kopolymerů pomocí transmisní elektronové mikroskopie a molekulových simulací
 Illés, Peter ; Nová, Lucie (vedoucí práce) ; Štěpánek, Miroslav (oponent)
Responzivní systémy blokových kopolymerů, kterých bloky mají různou afinitu ke zkoumanému rozpouštědlu mohou vytvářet struktury jako micely nebo vezikuly. Tyhle struktury jsou senzitivní ke změnám vnějších podmínek jakými jsou pH a teplota. Tyto změny často vedou k formaci nebo rozkladu micel. Pokud je jedním z bloků slabý polyelektrolyt, stupeň ionizace závisí nejenom na vnějších podmínkách, ale taktéž na konformaci řetězců. Táto práce zahrnuje studium velikosti a stupně ionizace micelárních struktur a linearních řetězců kopolymeru obsahujícího termosenzitivní a pH responzivní bloky pomocí vysokorozlišovací transmisní elektronové mikroskopie a hamiltonianských Monte Carlo simulací. 1
Úplný záznam
Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy
 Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J.
The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English