|
|
Electron tweezer
Štubian, Martin ; Šik, Ondřej (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
This work deals with a new way of manipulating micro and nano objects, specifically liquid AuGe islands by using an electron beam. In the first part, the mechanism of manipulation is discussed, the principle is described and then are shown experiments and simulations which are confirming this principle. The second part of the work deals with the use of this manipulation in fabrication of micro / nano structures.
|
|
|
Studium chemického čištění povrchů metodou LEIS
Staněk, Jan ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem chemicky čištěných povrchů krystalů teluridu kademnatého (CdTe krystalů) pomocí rozptylu nízkoenergiových iontů (metoda LEIS). V teoretické části je popsána fyzikální podstata metody LEIS, včetně experimentálního uspořádání přístroje Qtac100, na kterém byl experiment měřen. Metoda LEIS je také porovnána s rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii (XPS). Jsou zde také shrnuty základní vlastnosti a struktura CdTe krystalů, včetně principu fungování detektorů rentgenového záření, pro něž jsou použité krystaly primárně využívány. V experimentální části je popsán samotný proces měření, od kalibračního měření, přes chemické leptání, až po zkoumání leptaného povrchu. Jsou zde ukázky LEISovských spekter s komentáři a interpretacemi, včetně porovnání s daty naměřenými pomocí metody XPS.
|
|
|
Calibration of SIMS method by implantation profiles
Janák, Marcel ; Průša, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.
|
|
|
Modifikace povrchu nanokapkami ovládanými elektronovou pinzetou
Dao, Radek ; Šik, Ondřej (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá modifikací povrchu germania pomocí kapek slitiny Au-Ge, jejichž pohyb je ovládán elektronovým svazkem. Práce je rozdělena na dvě části. Teoretická část je pojata jako přehled měřicích a výrobních technik použitých pro experimenty dále rozvedené v praktické části. Jednotlivé techniky jsou popsány s důrazem především na témata nutná k pochopení provedení a výsledků experimentů. Mimo jiné je zde probrána mikroskopie atomárních sil, rastrovací elektronová mikroskopie a elektronová litografie. Krom toho obsahuje teoretická část kapitolu o materiálovém systému zlato-germanium a pohybu kapek slitiny Au-Ge. Praktická část je přibližně chronologicky řazeným průvodcem provedenými experimenty a zpracováním jejich výsledků. To zahrnuje hledání vhodné metody přípravy vzorků, samotnou práci s kapkami, a také kvantifikaci následků jejich pohybu. Nemalá pozornost je věnována též teplotní kalibraci ohřívacího systému.
|
|
|
Optimalizace UHV SEM pro studium nanostruktur v širokém rozsahu teplot
Axman, Tomáš ; Zigo,, Juraj (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Předkládaná diplomová práce se zabývá optimalizací ultravakuového elektronového mikroskopu – UHV SEM, který je vyvíjen v rámci projektu Amispec ve spolupráci VUT, ÚPT AV ČR a firmy Tescan Brno, s.r.o. Teoretická část se zabývá popisem současného stavu vyvíjeného zařízení a rešerší konkurenčních systémů. Další část popisuje optimalizaci nosiče vzorku a receptoru paletek pro studium nanostruktur v širokém rozsahu teplot. Součástí optimalizace je i vývoj safírové tepelné diody a experimentální ověření funkčnosti navržených součástí. Následuje ověření funkčnosti celého zakládacího systému transportu vzorků do oblasti s UHV, depozice pomocí efuzní cely a pozorování in situ.
|
|
|
Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů
Šikula, Marek ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Pomocí atomárních zdrojů kyslíku se vyrábí a studují ultratenké oxidové vrstvy, především tzv. high-k vrstvy. Ty jsou základem CMOS tranzistorů a DRAM kondenzátorů. Tato práce zpracovává teorii atomárních svazků kyslíku a způsoby jejich získání. Na základě těchto podkladů je vytvořen konstrukční návrh unikátního typu disociačního atomárního zdroje kyslíku. Návrh byl testován jednoduchými experimenty. Dale je vypracován 3D model zdroje a kompletní výkresová dokumentace.
|
|
|
Testing of the new UHV scanning electron microscope and design of its effusion cel
Šárközi, Rudolf ; Mach, Jindřich (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
This work focus on the development and the design of the effusion cell that is able to deposit different materials in downward orientation. The Cell itself should be placed into the ultra-vacuum microscope (UHV-SEM) developed in TESCAN company in the collaboration with Institute of Physical Engineering. Theoretical part is devoted to the description of the electron microscope and its, in the future installed, parts, which will be used for the preparation and the analysis of the nanostructures. In this work, the first measurements with the electron microscope are presented, and the influence of mechanical vibrations to image quality is discussed.
|
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
|
|
Kvantitativní analýza matricových prvků metodami SIMS a LEIS
Staněk, Jan ; Šik, Ondřej (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá porovnáváním a propojením dvou spektrometrických metod – spektrometrie rozptylu nízkoenergiových iontů (LEIS) a hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů (SIMS). Metoda SIMS totiž, přes mnoho pozitivních vlastností, nedokáže potlačit tzv. matricový efekt, který činí kvantifikaci dat velice obtížnou. Vůči tomuto efektu je naopak imunní metoda LEIS, proto je vhodným doplněním metody SIMS. Jako vyhovující vzorek k porovnání byly vybrány vzorky AlGaN o různých koncentracích galia a hliníku. V první části práce je představena fyzikální podstata obou metod, experimentální sestavy a zkoumané vzorky. Ve vlastní části práce jsou pak popsána jednotlivá měření, porovnány data získaná výše zmíněnými metodami.
|
|
|
Complex ion beam based depth profiling of anticorrosive layers
Holeňák, Radek ; Král, Jaroslav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Presented master’s thesis deals with the implementation of the Particle Induced X-ray Emission method in the experimental setup with the aim to supplement the family of ion beam based techniques, i.e. Rutherford Backscattering Spectrometry, Elastic Backscattering Spectrometry and Time-of-Flight/Energy Elastic Recoil Detection Analysis. The advantage of a multi-method approach is demonstrated on the transition metal alloy films containing light species, where the self-consistent analysis yields significantly improved and accurate information about stoichiometry, depth distribution and thickness of the alloy. Secondary Ion Mass Spectrometry is employed to compare and complement the obtained results.
|
host ::
RSS.