Original title:
Příprava GeSn nanostruktur
Translated title:
Preparation of GeSn nanostructures
Authors:
Jedlička, Jindřich ; Voborný, Stanislav (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2018
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[cze][eng]
Tato bakalářská práce se zabývá metodami přípravy GeSn nanodrátů. V teoretické části je popsána pásová struktura pevných látek a jsou uvedeny důvody, proč je materiál GeSn zajímavý. Je představen mechanismus růstu nanodrátů a metody přípravy GeSn nanodrátů. V experimentální části byla sestavena efúzní cela pro depozici cínu a bylo provedeno její otestování a kalibrace.
This bachelor thesis deals with the methods of preparation of GeSn nanowires. In the theoretical part of the thesis the band structure of solid states is described and the interesting properties of GeSn material are mentioned. The growth mechanism of nanowires and methods of preparation of GeSn nanowires are introduced. In the experimental part of the thesis the effusion cell for Sn deposition was assembled and the testing and calibration were performed.
Keywords:
band gap; effusion cell; GeSn; nanowire; VLS mechanism; efúzní cela; GeSn; nanodrát; VLS mechanismus; zakázaný pás
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/83758