Original title: Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Translated title: Computer modeling of MOSFET transistor
Authors: Major, Jan ; Harwot, Ondřej (referee) ; Pokorný, Michal (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2011
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract: [cze] [eng]
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů. Work is focused on computer modeling of PN junction and MOSFET transistor in the program COMSOL Multiphysics and in program TiberCAD. The text is discussed on the drift and diffusion in semiconductors. Also shown is a method of modeling the PN junction and MOSFET transistor in the programs and compare models.
Keywords: analysis; COMSOL Multiphysics; diffusion; drift; modeling; MOSFET; PN junction; semiconductor; simulation; TiberCAD; transistor; analýza; COMSOL Multiphysics; difůze; drift; modelování; MOSFET; PN přechod; polovodič; simulace; TiberCAD; tranzistor

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/7296

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-598797


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses