Original title:
Počítačové modelování polovodičových diod
Translated title:
Semiconductor diode modelling
Authors:
Pacholík, Vladimír ; Wilfert, Otakar (referee) ; Pokorný, Michal (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2010
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Abstract:
[cze][eng]
Tato práce se zabývá nejdůležitějšími jevy, které nastávají v polovodiči, popř. na polovodičovém přechodu. Obsahuje rovnice a vztahy, které jsou nezbytné pro modelování jednoduché polovodičové PN diody, Gunnovy diody a Schottkyho diody. Dále také obsahuje stručný postup toho, jak tyto vztahy prakticky použít a ve spolupráci s programy COMSOL Multiphysics a TiberCAD diody nasimulovat. Výsledkem modelování jsou pak data ve formě grafů, které poskytují základní představu o nosičích náboje v polovodiči, elektrickém potenciálu a voltampérové charakteristice.
This project is about phenomena, which proceed in semiconductor, eventually on semiconductor junction, including equations and relatives necessary for modeling simply semiconductor PN diode, Gunn diode and Schottky diode. Further including short way, how to use this equations and how simulate this diode in COMSOL Multiphysics and Tiber CAD software. Products of modeling are data in charts form. This charts giving basic idea about charge carriers, electrostatic potential and I-V characteristic.
Keywords:
COMSOL; diode; diode model; drift-diffusion scheme; semiconductor; TiberCAD; COMSOL; dioda; model diody; model driftu a difúze; polovodič; TiberCAD
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/16160