Original title: Transportní a šumové charakteristiky MIS struktury s aplikací na niob-oxidové kondenzátory
Translated title: Transport and noise characteristics of MIS structure and their aplication on the NbO capacitors
Authors: Velísek, Martin ; Majzner, Jiří (referee) ; Sedláková, Vlasta (advisor)
Document type: Bachelor's theses
Year: 2010
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract: [cze] [eng]
Cílem mé práce bylo studium vlastností niob-oxidových kondenzátorů. Kondenzátor typu NbO – Nb2O5 – MnO2 představuje strukturu typu MIS, kde anoda z NbO má kovovou vodivost a burel z MnO2 je polovodič. Kondenzátor zapojený v normálním módu představuje strukturu typu MIS zapojenou v závěrném směru, kdy přiložené napětí zvyšuje potenciálovou bariéru mezi polovodičem a izolantem. Zbytkový proud izolační vrstvou je určený Ohmickou vodivostí, Poole-Frenkelovou vodivostí a tunelováním. Při nízké intenzitě elektrického pole je dominantní Ohmická vodivost a Poole-Frenkelův mechanismus transportu náboje, při vyšší intenzitě elektrického pole je proud určen tunelováním. Na základě modelování naměřených VA charakteristik lze odhadnout efektivní tloušťku dielektrika Nb2O5 a určit podíl Poole-Frenkelova a tunelového proudu na transportu náboje. The aim of my work was the study of niob-oxide capacitor properties. Capacitor structure NbO-Nb2O5-MnO represents the M-I-S structure where NbO anod has metalic conductivity and MnO2 is semiconductor. The capacitor connected in the normal mode with the positive voltage on the NbO anode represents the MIS structure connected in the reverse direction, when the applied votlage increases the potencial barrier between the insulator Nb2O5 and semiconductor (MnO2). The charge carrier transport is the Nb2O5 layer is determined by the Poole-Frenkel mechanism and tuneling in the normal mode. Poole-Frenkel mechanism of the charge carrier transport is dominant for low electric field in the dielectric layer; tunneling current is dominant for the high electric field. We can estimate the effective thickness of the dielectric layer and the ratio between the Poole-Frenkel and tunelling current from the modeling of measured VA characteristics.
Keywords: 1/f noise; Leakage Current; Low Frequency Noise; MIS Structure; Nb2O5; NbO Capacitor; MIS struktura; Nb2O5; NbO kondenzátor; nízkofrekvenční šum; zbytkový proud; šum 1/f

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/6499

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-588514


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Bachelor's theses