Název:
Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů
Překlad názvu:
Elimination of defects in Si substrates by Rapid Thermal Process application
Autoři:
Frantík, Ondřej ; Hégr, Ondřej (oponent) ; Szendiuch, Ivan (vedoucí práce) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2010
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze][eng]
Nízká cena, rychlé dosažení vysokých teplot IR ohřevem, rychlé chlazení a vysoká efektivita, to jsou vlastnosti RTP (rychlé tepelné procesy). RTP se využívá pro žíhání, difúzi, kontaktování, oxidaci a další. Rychlá změna teploty a IR ohřev může být následován pozitivními efekty v křemíkových substrátech. Tato práce je zaměřena na žíhání pomocí RTP. Byl použit p-typový monokrystalický CZ křemík s rozdílnou objemovou dobou života minoritních nosičů. Doba života minoritních nosičů byla měřena MW-PCD (mikrovlnná fotovodivá detekce) před a po procesu ohřevu.
Low cost, rapid and high thermal by IR heating, rapid cooling and high efficiency, there are RTP (Rapid Thermal Processing) properties. We can use RTP for annealing, diffusion, contacting, oxidation and others. Rapid temperature change and IR heating can be followed positive effects in the silicon substrate. This paper is focused on annealing by RTP. Wafers were p-type monocrystalline CZ silicon with different bulk minority carrier lifetime. Minority carrier lifetime was measured by MW-PCD (Microwave Photoconductance Decay) before and after thermal processing.
Klíčová slova:
doba života minoritních nosičů; křemík; křemíkové substráty.; Rychlé tepelné procesy; rychlé tepelné žíhání; Minority carrier lifetime; Rapid Thermal Annealing; Rapid Thermal Process; Si substrate.; Silicon
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/17123