Original title: Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech
Translated title: Selective growth of GaN nanostructures on silicon substrates
Authors: Knotek, Miroslav ; Novák, Tomáš (referee) ; Voborný, Stanislav (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2015
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract: [cze] [eng]
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu. This thesis deals with deposition of gallium nitride thin films on silicon substrates covered by negative HSQ rezist. Rezist was patterned via electron beam lithography to create masks, where the selective growth of crystals was achieved. Growth of GaN layers was carried out by MBE method. For achievement of desired selective growth, the various deposition conditions were studied.
Keywords: electron beam lithography; GaN; HSQ resist; selective growth.; surface diffusion; thin films; elektronová litografie; GaN; HSQ rezist; povrchová difúze; selektivní růst.; tenké vrstvy

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/41212

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-581785


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses