Original title:
Vliv elektronového svazku na grafenové polem řízené tranzistory
Translated title:
Influence of electron beam on graphene field effect transistors
Authors:
Mareček, David ; Čech,, Vladimír (referee) ; Čechal, Jan (advisor) Document type: Master’s theses
Year:
2017
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[cze][eng]
Tato diplomová práce se věnuje elektrické vodivosti grafenu, přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru a jeho ozařování elektronovým svazkem. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na křemíkový substrát s vrstvou SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru pro použití v UHV podmínkách. Dále popisuje skenování elektronového svazku přes vyrobený tranzistor a tvorbu proudových map tranzistoru. V poslední části se věnuje vlivu elektronového svazku na transportní vlastnosti grafenové vrstvy a dotování grafenové vrstvy, indukované elektronovým svazkem.
This diploma thesis deals with electrical conductivity of a graphene sample, preparation of a graphene field-effect transistor and his irradiation by electron beam. In the theoretical part of the thesis, we describe electronic properties of graphene, preparation of graphene by CVD and its transfer to Si substrate with SiO_2 layer. Experimental part of this thesis is focused on the preparation of a graphene field-effect transistor for use in UHV conditions. Futher describes electron beam scanning over the transistor and creation of current maps of tranzistor. In the last part, the thesis deals with influence of electron beam on transport properties of graphene layer and doping of graphene layer by electron beam.
Keywords:
chemical vapor deposition; Dirac point; electron beam; graphene; SiO_2; transport properties.; chemická depozice z plynné fáze; Diracův bod; elektronový svazek; grafen; SiO_2; transportní vlastnosti.
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/67885