Original title:
Vývoj a charakterizace nové metody připojování vývodů na tlustou vrstvu
Translated title:
Development and characterization of new method of interconnection between leads and thick film layer
Authors:
Hurtík, Pavel ; Skácel, Josef (referee) ; Otáhal, Alexandr (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2021
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Abstract:
[cze][eng]
Tato práce se zabývá různými způsoby připojování vývodů na tlustou vrstvu. Také zahrnuje vývoj a charakterizaci nové metody připojování vývodů, a to bodovým svařováním na technologii tlusté vrstvy. Byly upraveny hroty svářecího pera pro zmenšení velikosti výsledných svarů. Pro dosažení kvalitnějších spojů bylo využito galvanické pokovování kontaktních plošek. Po vytvoření byly svary testovány z pohledu mechanické pevnosti (střihová síla, pevnost v odlupu) a taktéž zde byla využita optická metoda vyhodnocení kvality svaru pomocí metalografického výbrusu. Využitím této technologie lze dosáhnout nového nerozebíratelného spojení.
This work deals with different ways of interconnection between leads and thick film. It also includes the development and characterization of a new method of connecting leads, namely spot welding on thick film technology. The tips of the welding pen were modified to reduce the size of the resulting welds. To achieve a better-quality connection is used galvanic platting of contact pads. Final welds were then tested by mechanical strength testing (shear test, peel-test) and the optical method of evaluating the quality of the weld using metallographic cutting was used. Using this technology, a new inseparable connection can be achieved.
Keywords:
galvanic plating; shear tests and peel tests; Spot welding; thick film technology; Bodové svařování; galvanické pokovení; technologie tlusté vrstvy; zkoušky ve střihu a odloupnutí
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/197991