Original title: Studium mikrodefektů v Czochralskiho křemíku
Translated title: Study of microdefects in Czochralski silicon
Authors: Španělová, Klára ; Cába, Vladislav (referee) ; Másilko, Jiří (advisor)
Document type: Bachelor's theses
Year: 2022
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická
Abstract: [cze] [eng]
Bakalářská práce se zabývá studiem mikrodefektů v Czochralskiho křemíku ve spolupráci s firmou onsemi Rožnov pod Radhoštěm. Hlavním cílem je nalezení poznatků o mikrodefektech v Czochralskiho křemíku a jejich vlivu na vlastnosti polovodičových součástek. Experimentální část pojednává o charakterizaci mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku dopovaných B, P a Sb a pěstovaných ve společnosti onsemi. Konkrétně je provedeno měření radiálního měrného odporu pomocí čtyřbodové sondy s následným přepočtem na koncentraci dopantu (dle normy ASTM F 723-99). Je provedeno vyhodnocení radiální a axiální distribuce mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku pomocí precipitačního testu a OISF testu. V rámci studia mikrodefektů byla také detekována poloha vakantní-intersticiálního rozhraní. The bachelor's thesis deals with the study of microdefects in Czochralski silicon in cooperation with the company onsemi Rožnov pod Radhoštěm. The main objectiv is to find knowledge about microdefects in Czochralski silicon and their influence on the properties of semiconductor components. The experimental part deals with the characterization of microdefects in Czochralski silicon ingots doped by B, P and Sb and grown in the company onsemi. Specifically, the measurement of radial resistivity is performance using a four-point probe with subsequent conversion to dopant concentration (according to ASTM F 723-99). The radial and axial distribution of microdefects in Czochralski silicon ingots is evaluated using the precipitation test and the OISF test. The position of the vacant-interstitial interface was also detected as part of microdefect study.
Keywords: Czochralski method; microdefect; monocrystal; OISF test; precipitation test; Silicon; Czochralski metoda; Křemík; mikrodefekty; monokrystal; OISF test; precipitační test

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/206234

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-503806


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Bachelor's theses