Original title:
Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Translated title:
Gamma and X- ray CdTe/CdZnTe detectors
Authors:
Pekárek, Jakub Document type: Rigorous theses
Year:
2015
Language:
cze Abstract:
[cze][eng] V předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou bylo snížit hodnotu svodového proudu a tím získat lepší rentgenové a gama spektra, neboli vytvořit detektor fungující za pokojové teploty na bázi tohoto polovodiče s dostačujícím energetickým rozlišením a co největší účinností sběru náboje. Jednotlivé povrchové úpravy byly charakterizovány pomocí volt-ampérové charakteristiky, spektrální analýzy a určením profilu vnitřního elektrického pole.In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to improve the properties of metal-semiconductor contact. The main effort was to reduce the leakage current and thus get better X-ray and gamma-ray spectrum, ie to create a detector operating at room temperature based on this semiconductor material with sufficient energy resolution and the maximum charge collection efficiency. Individual surface treatments were characterized by volt-ampere characteristics, spectral analysis and by determination of the profile of the internal electric field.
Keywords:
CdTe; CdZnTe; detectors; gama and X-ray radiation; CdTe; CdZnTe; detektory; gama záření
Institution: Charles University Faculties (theses)
(web)
Document availability information: Available in the Charles University Digital Repository. Original record: http://hdl.handle.net/20.500.11956/67741