Original title:
Strukturní defekty v SiC detektorech
Translated title:
Structure defects in SiC radiation detectors
Authors:
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (advisor) ; Hazdra, Pavel (referee) Document type: Master’s theses
Year:
2019
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. In this thesis, we are broadening elementary knowledge about this material. We identify energy levels in the material, using Photo-Hall effect spectroscopy supported by the temperature dependency of classic Hall effect measurement and temperature dependent photoluminescence. This knowledge is essential to allow SiC application as a radiation detector.Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
Keywords:
Annealing; Defects; Hall effect; Photoluminescence; SiC; Transient currents; defekty; Fotoluminiscence; Hallův jev; SiC; Transientní proudy; žíhání
Institution: Charles University Faculties (theses)
(web)
Document availability information: Available in the Charles University Digital Repository. Original record: http://hdl.handle.net/20.500.11956/107665