Název: Časově rozlišená spektroskopie polovodičů se širokým zakázaným pásem
Překlad názvu: Time-resolved spectroscopy of wide-bandgap semiconductors
Autoři: Martínek, Miroslav ; Trojánek, František (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Rigorózní práce
Rok: 2019
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
V této práci budou srovnávány experimentální vzorky mnohanásobných kvantových jam ve strukturách InGaN/GaN pomocí metod laserové spektroskopie. Budou zkoumány zejména optické vlastnosti vzorků. vzorky byly vyrobeny za různých podmínek, a proto je jedním z cílů vzorky porovnat. Znalost vlivu přípravy pak umožní konstrukci vzorků s lepšími vlastnostmi. Tyto materiály pak mají značné využití nejen pro základní výzkum, ale i pro konstrukci zdrojů záření či scintilačních detektorů. Budou provedena měření absorpce a fotoluminiscence a budou také měřeny jejich dynamické vlastnosti. Bude zkoumán vliv excitačního výkonu a excitační vlnové délky na velikost fotoluminiscence. Z dynamických vlastností bude zkoumán vliv excitační vlnové délky na dobu života absorpce, a jak teplota ovlivňuje dobu života fotoluminiscence. Jednotlivé veličiny budou také porovnány mezi vzorky a diskutována vhodnost vzorků pro další aplikace. In this thesis experimental samples of multiple quantum wells in the InGaN/GaN structures will be compared using methods of laser spectroscopy. In particular, the optical properties of the samples will be investigated. The samples were prepared under different conditions; therefore one of the aims is to compare them. The knowledge of the influence of preparation enables utilization not only for fundamental research, but also for the construction of radiation sources or scintillation detectors. Measurements of absorption and photoluminescence will be carried out and their dynamic properties will be measured as well. There will be examined the effect of different excitation power and different excitation wavelength on the intensity of photoluminescence. From dynamic properties there will be examined the effect of different excitation wavelength on the lifetime of the absorption and how does temperature influence the lifetime of the photoluminescence. Individual quantities will be compared amongst samples and their suitability for further applications will be discussed.
Klíčová slova: InGaN; laserová spektroskopie; mnohonásobné kvantové jámy; časově rozlišená spektroskopie; InGaN; laser spectroscopy; multiple quantum wells; time-resolved spectroscopy

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/105495

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-394050


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Rigorózní práce