Original title:
Charakterizace dielektrických vrstev na křemíkové desce
Translated title:
Characterisation of dielectric films on a silicon wafer
Authors:
Fillner, Patrik ; Boušek, Jaroslav (referee) ; Hubálek, Jaromír (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2018
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Abstract:
[cze][eng]
Táto bakalárska práca sa zaoberá tenkými oxidovými dielektrickými vrstvami na kremíkovom substráte. Podrobnejšie skúma ich charakterizáciu a jednotlivé hodnoty parametrov vzoriek. Uplatnenie je možné nájsť v použití týchto vrstiev pri výrobe kondenzátorov na kremíkových čipoch. Vzorky pozostávajú z planárnych oxidových vrstiev o hrúbke v rozmedzí desiatok nanometrov na jednotlivých kremíkových substrátoch s naparenými, alebo naprášenými elektródami.
This bachelor thesis focuses on thin oxide based dielectric layers on silicon wafer. Main effort is for characterization of properties of samples. This technology can be used for manufacturing capacitors on silicon chips. Samples are based on planar oxide layers made with thin film technology on single silicon wafers coated with electrodes deposited by evaporation or by sputtering.
Keywords:
capacitor; dielectric constant; dielectric properties; nanostructure; oxide film; thin film technology; dielektrická konštanta; dielektrické vlastnosti; kondenzátor; nanoštruktúra; oxidová vrstva; tenká vrstva
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/81749