Original title: Optická charakterizace transportu náboje v polovodičových detektorech záření
Translated title: Charge transport optical characterization in semiconductor radiation detectors
Authors: Ridzoňová, Katarína ; Belas, Eduard (advisor)
Document type: Rigorous theses
Year: 2018
Language: slo
Abstract: [eng] [cze]
Measurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution of the inner electric field. In the presented work, the n- type planar CdZnTe detectors with quasi Ohmic contacts were studied by above mentioned methods. It has been shown that in the case of strongly absorbed light under the DC regime of illumination not only surface recombination influences the detector's transport properties. The effect of the space charge, created as a consequence of carriers trapped by the impurity levels, must be taken into account. Therefore some new theoretical models were created in order to describe measured photocurrent-voltage dependencies. Obtained data were fitted with the new theory and the mobility and surface recombination velocity for electrons were determined. Merania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného elektrického poľa. V prezentovanej práci boli vyššie spomenutými metódami skúmané n-typové planárne detektory s takmer Ohmickými kontaktmi. Bolo dokázané, že v prípade silne sa absorbujúceho svetla v DC režime osvetlenia neovplyvňuje transportné vlastnosti len povrchová rekombinácia. Musí byť zarátaný aj vplyv priestorového náboja, ktorý vzniká ako dôsledok záchytu nosičov na pascových hladinách. Preto k popisu meraných foto-voltampérových charakteristík boli odvodené nové teoretické modely. Namerané dáta boli fitované novou teóriou, odkiaľ sme získali parametre pohyblivosť a povrchovú rekombináciu.
Keywords: CdZnTe; photocurrent; space charge; surface recombination; CdZnTe; fotoprúd; povrchová rekombinácia; priestorový náboj

Institution: Charles University Faculties (theses) (web)
Document availability information: Available in the Charles University Digital Repository.
Original record: http://hdl.handle.net/20.500.11956/94951

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-373095


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Charles University > Charles University Faculties (theses)
Academic theses (ETDs) > Rigorous theses