Original title: Vliv vrstev nitridu křemíku na difuzní délku minoritních nosičů v Si
Translated title: Effect of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in c-Si wafers
Authors: Toušek, J. ; Toušková, J. ; Poruba, A. ; Bařinka, R. ; Hlídek, P. ; Lorinčík, Jan
Document type: Papers
Conference/Event: Česká fotovoltaická konference /2./, Brno (CZ), 2006-06-12 / 2006-06-14
Year: 2006
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Hlavním cílem práce bylo porovnání nitridu křemíku připraveného metodami LP CVD a MW PE CVD ze silanu a čpavku s ohledem na možnost pasivace c-Si povrchových vrstev. Vlastnosti vrstev nitridu křemíku byly studovány metodami SPV, FTIR a SIMS. Průměrná hodnota difuzní délky minoritních nosičů v Si vzorcích s LP CVD nitridem byla kratší a závisela na místě v reaktoru. The main purpose of this work was the comparison of the silicon nitride prepared by the LP CVD and by the MW PE CVD from silane and ammonia gases with respect to the possibility of passivation c-Si surface layer. The properties of the silicon nitride films were studied by the surface photovoltage (SPV), FTIR and SIMS methods. The average value of the diffusion length of minority carriers in the Si samples with the LP CVD nitride was shorter and dependent on the location in the reactor.
Keywords: hydrogen; plasma; solar cells
Project no.: CEZ:AV0Z20670512 (CEP)
Host item entry: 2. Česká fotovoltaická konference. Sborník příspěvků, ISBN 80-239-7361-4

Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0146479

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-37210


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Photonics and Electronics
Conference materials > Papers