Original title: Deep-level transient spectroscopy comparative studies of quantum well heterostructures
Translated title: Srovnávací studie heterostruktur s kvantovými jámami pomocí tranzientní spektroskopie hlubokých hladin
Authors: Kosíková, Jitka ; Žďánský, Karel ; Rudra, A. ; Kapon, E.
Document type: Papers
Conference/Event: NANO ’05 - NENAMAT International Conference, Brno (CZ), 2005-11-08 / 2005-11-10
Year: 2005
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage measurements have been made on AlGaAs/GaAs diode structures containing quantum wells (QW) prepared with graded and with step aluminium content as well as on structures without QWs.A new DLTS peak has been observed in the structures containing QWs, either with graded or with step structure. Mechanisms of electron transitions explaining the new results has been discussed. Tranzientni spektroskopie hlubokých hladin a meření závilostí kapacita - napětí byly provedeny na diodových struktůrách AlGaAs/GaAs s gradovaným a se skokovým průběhem obsahu hliníku obsahujících kvantové jámy (QW), jakož i na struktůrách bez QW. Bylo zjištěno DLTS maximum na strutůrách obsahujících QW, a to na obou typech, jak s gradovaným tak se skokovým průběhem. Byly diskutovány mechanizmy elektronových přechodů pro vysvětlení nových výsledků.
Keywords: deep levels; nanostructured materials; semiconductor quantum wells
Project no.: CEZ:AV0Z20670512 (CEP), IBS2067354 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR
Host item entry: NANO´05, ISBN 80-214-3085-0

Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0137711

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-35926


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Photonics and Electronics
Conference materials > Papers