Original title:
Analýza fluktuací tunelového proudu v STM
Translated title:
Analýza fluktuací tunelového proudu v STM
Authors:
Sopoušek, Jan ; Ošťádal, Ivan (advisor) ; Sobotík, Pavel (referee) Document type: Bachelor's theses
Year:
2014
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] The thesis deals with analysis of fluctuations of the tunnelling current in scanning tunnelling microscopy (STM). The dynamics of Sn atoms on the surface Si (111) 7x7 is studied by means of time records of the tunnelling current. The records provided characteristic times of Sn adatom staying in various areas of half unit cells of the surface reconstructions are analysed. The model types of the tunnelling current interference, which influence the measurement accuracy, are also studied. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)Práce se zabývá analýzou fluktuací tunelového proudu v skenovací tunelovací mikroskopii (STM). Je studována dynamika atomů Sn na povrchu Si (111) 7x7 za použití časového záznamu tunelového proudu. Z jeho zpracování jsou určeny doby, po které atom Sn setrvává v různých oblastech půlcel povrchové rekonstrukce. Dále jsou studovány jednotlivé modelové typy rušení tunelového proudu, které mají vliv na přesnost provedeného experimentu. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
Keywords:
fluctuation; Si (111) 7x7; STM; fluktuace; Si (111) 7x7; STM
Institution: Charles University Faculties (theses)
(web)
Document availability information: Available in the Charles University Digital Repository. Original record: http://hdl.handle.net/20.500.11956/63762