Original title: Optické vlastnosti vrstvy GaN na safíru
Translated title: Optical properties of the GaN on sapphire
Authors: Skalský, Miroslav ; Janta, Jiří ; Čtyroký, Jiří ; Stejskal, J. ; Hüttel, I.
Document type: Papers
Conference/Event: Optické komunikace - O.K.'2001 /5./, Prague (CZ), 2001-11-06 / 2001-11-07
Year: 2001
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
V příspěvku je stručně popsána metoda vidové spektroskopie pro měření optických vlastností epitaxní vrstvy nitridu galitého (GaN) na safírové podložce. Jsou uvedeny výsledky měření tloušťky, indexů lomu a útlumu vedených vidů pro vlnové délky 632,8 nm a 781 nm. Z naměřených hodnot měrného útlumu vedených vidů je kvalitativně stanoven podíl absorpce v objemu vlnovodné vrstvy a rozptylu na jejích rozhraních na celkových optických ztrátách vlnovodu. The method of mode spectroscopy was used to measure optical properties of epitaxial layers of gallium nitride (GaN) deposited onto the sapphire substrate. The results of the measurement of the layer thickness, refractive indices, and the attenuation of guided modes at the wavelengths of 632.8 nm and 781 nm are presented. From experimental values of attenuation of different guided modes, the contributions of bulk absorption and scattering at the interfaces of the layer to the total optical loss in the waveguide are determined.
Keywords: integrated optics; optical waveguides; thin films
Project no.: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), KSK2067107 Projekt 07/01:4072 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR
Host item entry: Optické komunikace - O.K.'2001

Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0114064

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32492


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Photonics and Electronics
Conference materials > Papers