Original title: RTG stanovení mřížkového přizpůsobení polovodičových heterostructur InGaAsP/InP
Authors: Novotný, Jan ; Procházková, Olga ; Kacerovský, Pavel
Document type: Papers
Conference/Event: Seminář k 100. výročí objevu rentgenového záření, Liberec (CZ), 1995-09-14 / 1995-09-15
Year: 1995
Language: cze
Keywords: semiconductor devices
Project no.: 102/93/0640
Funding provider: GA ČR
Host item entry: 100 let od objevu rentgenového záření

Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0113042

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32234


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Photonics and Electronics
Conference materials > Papers