Original title: Optimalizace a testování ITO vrstev
Translated title: Development of the process of ion beam sputtering of the ITO thin films
Authors: Hlubuček, Jiří
Document type: Research reports
Year: 2016
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Všechny depozice ITO probíhaly za pokojové teploty na BK7 substrát tloušťky 80 mm. Během, někdy i po depozici, se teplota v komoře mírně zvyšovala především při použití asistenčního děla, nikdy však nepřesáhla 40 °C. Rychlost odprašování je relativně vysoká, proto byly použity relativně nízké výkony primárního iontového děla (KDC). Optimalizovala se příprava bez i s použitím asistenčního iontového děla (IBAD) s kyslíkovým nebo kyslíkovo-argonovým výbojem. Rychlost depozice určena podle krystalového monitoru (CRY), reálná se mírně liší podle typu depozice. Tloušťky vrstev určeny na základě měření elipsometru. Odpor měřen přiložením kontaktů na okraje vzorku v prostředku podél homogenní tloušťky vrstvy. This report deals with ITO (indium tin oxide) deposition by ion-beam sputtering, and was custom-made for Crytur. All the depositions were performed at room temperature (i.e. without heating). Optimalization of ITO thin films was made without as well as with the assistant ion beam using oxygen or argon-oxygen discharge. Deposition rate was tracked in-situ by quartz crystal monitor. More precise determination of the film thickness was made after deposition by spectroscopic ellipsometry. Electrical resistance was also evaluated.\n
Keywords: IBAD; IBS; ITO; sputtering process development

Institution: Institute of Plasma Physics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0270488

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-263610


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Plasma Physics
Reports > Research reports