Název: Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET
Překlad názvu: Drivers for power switching transistors GaN MOSFET
Autoři: Fiala, Zbyněk ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2016
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Práce popisuje postup při návrhu budicích obvodů pro GaN MOSFET tranzistory, které jsou známé především díky schopnosti rychlého spínání. V úvodu práce je nejprve rozebrána a popsána problematika GaN MOSFET tranzistorů a rovněž práce srovnává různé typy MOSFET tranzistorů z hlediska jejich elektrických i mechanických vlastností. Dále je zvolen konkrétní typ budicího obvodu, který byl vybrán v semestrální práci. K ověření činnosti tohoto budicího obvodu byl navržen spínaný zdroj s výstupním výkonem 600W a velikou pracovní frekvencí 800kHz jako pokusný měřící obvod, který byl po zkonstruování oživen, a bylo na něm provedeno kontrolní měření. Zachycené průběhy pomocí osciloskopu jsou následně okomentovány. Závěrem práce je zhodnocení nabytých poznatků o této nové technologii výkonových spínacích tranzistorů. The thesis describes the procedure during the proposal of the driver circuits for the GaN MOSFET transistors, which are known for their fast switching especially. In the first instance of this thesis the issue of GaN MOSFET transistors is described and also the thesis describes the different types of MOSFET transistors in the way of their electrical and mechanical attributes. The specific type driver circuit is stated in the thesis, which was selected in the semestral thesis. For this circuit the boost converter with an output power 600W and high switching frequency 800kHz was proposed as an attempt measurement circuit. This boost converter was measured after its construction was done. The waveforms captured by the oscilloscope are commented also. In the conclusion the assessment is done about this new technology of power switching transistors.
Klíčová slova: Anténa; budicí obvod; budič; GaN; GS66508P; impulsní; MOSFET; rozptylová indukčnost; spínací; spínaný; toroidní; transformátorek; tranzistor; vysoká frekvence; výkonový; zdroj; účinnost; řízení; Aerial; boost; converter; driver circuit; driving; efficiency; GaN; GS66508P; high frequency; impulse; leakage inductance; MOSFET; power; switching; toroidal; transformer; transistor

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/59849

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-242073


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce