Original title: Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony
Translated title: Quantitative mapping of dopant in semiconductor using injected chargecontrast in very-slow-electron scanning electron microscope
Authors: Mikmeková, Šárka ; Müllerová, Ilona (referee) ; Pavloušková, Zina (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2009
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract: [cze] [eng]
Tato diplomová práce se zabývá studiem mechanismu kontrastu injektovaného náboje v dopovaném polovodiči pomocí ultravysokovakuového nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Cílem této práce bylo vysvětlit mechanismus kontrastu injektovaného náboje, jeho schopnost mapovat plošnou hustotu dopantu a identifikovat faktory, které ho ovlivňují. This master's thesis deals with study of the injected charge contrast mechanism of doped semiconductors by using the ultra – high vacuum scanning low electron energy microscope (UHV SLEEM). The aims of this work were to explain the injected charge contrast mechanism, to ability of this contrast mechanism to map the dopant density quantitatively and to identify the influencing factors.
Keywords: dopant contrast; injected-charge contrast; low energy scanning electron microscopy; semiconductors; kontrast dopantu; kontrast injektovaného náboje; nízkoenergiová rastrovací elektronová mikroskopie; polovodiče

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/10935

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-228856


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses