Original title:
Užití kovových materiálů pro selektivní růst
Translated title:
Application of metallic materials for selective growth
Authors:
Němeček, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (referee) ; Čechal, Jan (advisor) Document type: Master’s theses
Year:
2008
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[cze][eng]
Povrch Si(100), povrchové fáze Ga a jejich oxidace byly zkoumány pomocí metod XPS a LEED. Byly provedeny studie oxidace substrátu Si(100) a struktury (2x2)-Ga s následným žíháním pro odpaření oxidu gallného. Selektivní růst Ga na mřížkách tvořených SiO2/Si byl mapován s využitím metod SEM a AFM. Bylo zjištěno, že gallium roste uvnitř struktur selektivně. Dále byly analyzovány jednotlivé struktury. Kombinací STM měření a výpočtů DFT se podařila plně určit struktura povrchového oxidu na Ni3Al(111) a na NiAl(110) substrátech. Bylo zjištěno, že struktura povrchového oxidu hlinitého na NiAl(110) netvoří tzv. vzor, a že klastry Fe a Co na něm nerostou uspořádaně. Naproti tomu, oxid hlinitý vytvořený na povrchu Ni3Al(111) vzor tvoří a může být použit pro růst klastrů Fe a Co.
The Si(100) surface and Ga surface phases up to 1 ML on their oxidation have been studied by XPS and LEED. The selective growth of Ga on the SiO2/Si structures fabricated by EBL has been analyzed using SEM and AFM methods. It was proved that Ga clusters grow in structures beside the oxide. The structure of alumina on Ni3Al(111) and NiAl(110) substrates was fully determined by combining the results of STM measurements and DFT simulations. It was determined the alumina/NiAl(110) does not form a suitable template for ordered Fe and Co clusters growth. However, the next research confirmed the alumina/Ni3Al(111) forms template appropriate to clusters growth purpose.
Keywords:
AES; AFM; EBL.; Fe; Ga; LEED; Ni3Al(111); Selective growth; SEM; Si(100); STM; XPS; AES; AFM; EBL.; Fe; Ga; LEED; Ni3Al(111); Selektivní růst; SEM; Si(100); STM; XPS
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/127