Original title:
Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru
Translated title:
Semiconductors structures , charge collection method
Authors:
Golda, Martin ; Čudek, Pavel (referee) ; Špinka, Jiří (advisor) Document type: Master’s theses
Year:
2014
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Abstract:
[cze][eng]
Práce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů.
This thesis treats about semiconducting silicon structures. It describes the characteristics of the element and creation of P and N type of semiconductor and discusses about different types of faults in the crystal lattice. It deals with the description of methods for monitoring faults in semiconductor ie. determining the properties of semiconductors via EBIC, EBIV and CC methods, which are used for analysis of semiconductor devices and materials. Determining the properties of silicon components is being done by generation of charge carriers in the sample loaded in chamber of the scanning electron microscope by high energy electrons. Bellow the sample surface is being generated an electric charge which is being collected by probes. Using this data obtained by EBIC and CC were evaluated diffusion length and lifetime of electrons.
Keywords:
carrier generation; carrier life time; charge collection; crystal defects; diffusion length; EBIC; PN junction; Silicon; difúzní délka.; doba života; EBIC; generace nábojů; křemík; nábojový sběr; PN přechod; poruchy krystalu
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/32571