Original title: Analýza signálů z transportních a stochastických charakteristik detektorů záření
Translated title: Signal analysis of transport and stochastic processes of emission detectors
Authors: Míšek, David ; Tofel, Pavel (referee) ; Andreev, Alexey (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2008
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract: [cze] [eng]
Tato diplomová práce se zabývá vlastnostmi CdTe detektorů. Tento materiál patří do skupiny opticky citlivých materiálů. Práci lze tématicky rozdělit na dvě základní části. První část popisuje vlastnosti obou prvků a také celé sloučeniny. Z vybraných vlastností lze vyčíst přednosti tohoto materiálu, které jej předurčují do optické oblasti použití. Závěr této části tvoří popis kontaktu kov-polovodič. Tato problematika je důležitá pro pochopení podstaty okontaktování popisovaného materiálu. V druhé částí práce byla provedena řada měření. Pro přesnější porovnání byla měření nejprve provedena bez osvětlení a teprve poté s osvětlením. Během měření byla měněna vlnová délka záření a teplota vzorku. Klíčovými závislostmi byly Volt-Ampérová charakteristika a sledování odporu s různou teplotou vzorku a různou vlnovou délkou záření dopadajícího na vzorek. Pro vyšší přesnost byla měření několikrát opakována. Všechna data z měření byla zpracována na PC programem Easyplot. This Diploma thesis deals with properties of CdTe detectors. This material is ranked among optical sensitive group. This thesis can be thematically divided into two basic parts. The first part describes properties of both elements and the chemical adduct. Selected properties show perfections of the material, which are specializing it to optical area of application. The end of this part contains description of contact metal-semiconductor. This problem is important to comprehension principle the material contact. In second part there were making many measurements. For more accurately compare were first measurements doing without light and then with light. During making measurement was changed wave length and temperature of sample. Key factors were Volt-Ampere characteristics and resistance result with changed temperature and wave length impact to the sample. For better accuracy measurements were done many times. All of data from measurement were cultivate by PC Easyplot programme.
Keywords: 452B; band model of contact metal-semiconductor; band model of metal and semiconductor; Cadmium; CdTe detector; contact metal-semiconductor; F33B8; F35C3; Tellur; 452B; CdTe detektor; F33B8; F35C3; Kadmium; kontakt kov-polovodič; pásový model kontaktu kov-polovodič; pásový model kovu a polovodiče; Tellur

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/16924

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-217443


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses