Original title: Raman Spectra of Erbium Doped Gallium Nitride Layers Fabricated by Magnetron Sputtering
Translated title: Ramanovská spektra galium nitridových vrstev dopovaných erbiem a připravených magnetronovým naprašováním
Authors: Prajzler, V. ; Schröfel, J. ; Hüttel, I. ; Špirková, J. ; Machovič, V. ; Hamáček, J. ; Peřina, Vratislav
Document type: Proceedings
Conference/Event: Proceedings of the European Microelectronics and Packaging Symposium with Table Top Exibition /3./, Praha (CZ), 2003-06-16 / 2003-06-18
Year: 2004
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
The paper presents the influence of erbium ions content in gallium nitride layers on RAMAN spectra. Práce prezentuje vliv přítomnosti erbiových iontů v galium nitridových vrstvách na Ramanovská spektra.
Keywords: erbium; GaN; Raman spectra
Project no.: CEZ:AV0Z1048901 (CEP), GA104/03/0385 (CEP)
Funding provider: GA ČR

Institution: Nuclear Physics Institute AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0012821

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19959


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Nuclear Physics Institute
Conference materials > Proceedings