|
|
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Dvořák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Mareš, Petr ; Hospodková,, Alice (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje.
|
|
|
Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7
Šťastný, Jakub ; Horák, Michal (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá studiem růstu 2D GaN nanokrystalů na substrát Si(111) 7x7. V teoretické části této práce jsou popsány vlastnosti 3D a 2D GaN, hlavní metody přípravy GaN i 2D GaN a využití GaN v průmyslu. Experimentální část se zabývá podrobným popisem metody nízkoteplotní kapkové epitaxe za asistence iontů, která byla využita pro provedení série depozic 2D GaN pod různými úhly dopadu iontového svazku na substrát Si(111) 7x7. Depozice byla provedena v komplexním UHV systému v laboratořích ÚFI VUT v Brně. Vytvořené nanokrystaly 2D GaN byly analyzovány pomocí SEM a AFM.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Mareš, Petr ; Hospodková,, Alice (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje.
|
|
|
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Dvořák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.
|
host ::
RSS.