|
|
Magneto optical studies of solid states materials
Solodovnyk, Artur ; Malissa, Hans (oponent) ; Tol, Johan van (oponent) ; Neugebauer, Petr (vedoucí práce)
Electrically detected magnetic resonance (EDMR) is a sensitive and powerful technique for the determination of fundamental intrinsic properties of semiconductive solid-state materials. This work describes the fundamental theory of electron paramagnetic resonance and EDMR spectroscopy, in particular, several models of spin-dependent recombination are reviewed. The instrumental and software parts are presented, as well as the development of a new sample holder specific for EDMR. We intend to bring EDMR investigations to a new level, by developing a setup, which will operate at frequencies up to 1.1 THz and external magnetic field up to 16 T. Taking into account the possibilities of a home-built THz Frequency-Domain Rapid Scan (THz FraScan) spectrometer located in CEITEC BUT, samples will be characterized using both magnetic field and frequency sweeps. Thus, compared to the conventional continuous wave (CW) EDMR, this will allow obtaining not only the dependence of the voltage change on the external magnetic field at a given microwave frequency but also measuring frequency-field maps.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Brynza, Mykola ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Brynza, Mykola ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Štekl, Ivan (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
|
|
|
Grafen na SiC jako substrát pro molekulární samouspořádané systémy
Černá, Lenka ; Průša, Stanislav (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací metal-organických sítí samouspořádáním kovových atomů (Fe) a organických molekul (tetrakyanchinodimethan, TCNQ) na povrchu grafenu. Jako substrát byl v této práci pro přípravu samouspořádaných struktur použit krystal SiC (0001) s epitaxní vrstvou grafenu. Depozice metal-organických sítí i následná charakterizace povrchu nízkoenergiovou elektronovou (LEEM), skenovací řádkovací mikroskopií (STM) a rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) byla prováděna v podmínkách ultravysokého vakua.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Brynza, Mykola ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Štekl, Ivan (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
|
|
|
Light ceramic materials for ballistic protection
Greguš, Peter ; Pouchlý, Václav (oponent) ; Salamon, David (vedoucí práce)
This thesis gives a comprehensive characterization of lightweight non-oxide ceramic materials for ballistic applications, an overview of production technologies and processing of boron carbide B4C and its ceramic-based composites. A framework for evaluating the ballistic resistance of the material based on mechanical properties is shown there. It can be used in experiments without normalized equipment. The experiments including B4C + Si, B4C + Ti composites, and application of Spark plasma sintering (SPS) were designed according to outputs from the theoretical part. The volume fractions of Si, Ti dopants were optimized based on ongoing chemical reactions during sintering. The obtained samples were subjects of mechanical testing which results were compared to identify the ideal ratio of matrix and reinforcement. As the best suited material for ballistic protection, B4C + 1,0 obj. % reaches these values of parameters; hardness = 3502 ± 122 HV1; fracture toughness KIC = 2,97 ± 0,03 MPam^0,5.
|
|
|
Electroerosion wire cutting of technical ceramics
Habovštiaková, Mária ; Mouralová, Kateřina (oponent) ; Osička, Karel (vedoucí práce)
The presented diploma thesis deals with the issue of wire electrical discharge machining of SiSiC ceramics. The first part explains the principles of electrical discharge machining, describes the WEDM technology and presents the properties of the advanced ceramics. The second part consists of a detailed analysis of the cutting process of eighteen samples obtained with systematically changing process parameters. Based on the obtained results from EDX analysis, SEM electron microscopy and topography there was performed an analysis of the influence of process parameters on the cutting speed, surface roughness, kerf width and number of wire breaks with usage of the selected brass cutting wire. From the evaluated results it was possible to select a combination of parameters that ensured a stable machining process.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
Sýkora, Petr ; Kunc, Jan (vedoucí práce) ; Čechal, Jan (oponent)
Tato práce je zaměřena na přípravu grafenu pomocí epitaxního růstu na křemíkové straně karbidu křemíku. Její úvod je věnován stručnému popisu zajímavých vlastností grafenu a jeho možnému využití. Následně jsou uvedeny metody přípravy se zaměřením na epitaxní růst a vliv vodíku na samotný proces. Dále jsou představeny různé způsoby měření vzorku grafenu a podrobněji rozebrány tři z nich - Ramanova spektroskopie, mikroskopie atomárních sil a měření Hallova jevu. Samotný experiment se zaměřuje na to, jaký vliv má atmosféra složená z argonu a vodíku na růst grafenu. 1
|
host ::
RSS.