|
|
Technological challenges in the fabrication of MoS.sub.2./sub./diamond heterostructures
Varga, Marián ; Sojková, M. ; Hrdá, J. ; Hutar, P. ; Parsa Saeb, S. ; Vanko, G. ; Pribusova Slusna, L. ; Ondič, Lukáš ; Fait, Jan ; Kromka, Alexander ; Hulman, M.
Nowadays, 2D materials are one of the most studied classes of materials. In addition to the most famous graphene, progress has been achieved in studying and using fundamental properties of transition metal dichalcogenides (TMD). Complementary, diamond as a representative of 3D materials has gained a reputation as an extremely versatile material due to its extraordinary combination of physical/chemical/electrical/optical properties. Besides these particular forms of 2D and 3D materials, their heterostructures have become very attractive due to new phenomena and functions (bandgap engineering, enhanced charge transport, optical interaction, etc.). However, individual technological procedures are still minimally investigated and described. Here, we will demonstrate a proof-of-concept for the preparation of MoS2/diamond heterostructures, where two different strategies were employed: a) growth of MoS2 layers on diamond films, and b) growth of diamond films on Si/MoS2 substrates.
|
|
|
Enhanced growth rate of diamond films at low temperature in focused microwave plasma system
Babčenko, Oleg ; Bydžovská, Irena ; Fait, Jan ; Shagieva, Ekaterina ; Ondič, Lukáš ; Kromka, Alexander
The low temperature (< 500 °C) diamond film deposition on fused silica in two different focused microwave plasma systems, i.e. a multimode clamshell cavity (MCC) and a rotational ellipsoid cavity (REC) reactor, was investigated. During the experiments, the methane to hydrogen ratio, in the hydrogen-rich process gas mixture, varied from 1 % to 15 % for MCC and from 1 % to 9 % for REC. The grown films were analyzed by scanning electron microscopy and Raman shift measurements. The outcomes of the study and enhanced diamond growth at low temperatures is advantageous for overcoating of fused silica as well as thermally sensitive substrates, e.g. optical elements, photonic crystals, sensors, etc.
|
|
| |
|
| |
|
|
Kerr microscopy of magnetic microstructures
Hovořáková, Kristýna ; Schmoranzerová, Eva (vedoucí práce) ; Ondič, Lukáš (oponent)
Hlavním cílem práce bylo sestrojit Kerrovský mikroskop v širokém poli pro studium optického helicitně závislého přepínání magnetizace (AOHDS) na nanozrnech FePt. Ker- rův mikroskop byl úspěšně implementován do AOHDS experimentů, byl plně charakter- izován a optimalizován pro maximální kontrast obrazu. Zobrazování v reálném čase a rozlišení 2, 5µm umožňuje zkoumat širokou škálu magnetických materiálů. Kromě toho byl testován nový zdroj světla, High Lumen Density MODULE od společnosti CRYTUR, spol. s r.o., pro budoucí použití v Kerrovské mikroskopii. Technické řešení umožnilo vytvořit kolimovaný svazek s nízkou divergencí, který je pro Kerrovu mikroskopii nezbytný. Z AOHDS experimentů na FePt jsme pozorovali silný nemagnetický příspěvek k magnetickému signálu, který nebyl v literatuře zatím diskutován. Experimenty také ukázaly, že intenzita přepínání magnetizace závisí na velikosti laserové stopy a celkovém výkonu laseru, což naznačuje, že zrna FePt nejsou zcela izolovaná. Soubor zrn vykazuje složitější chování než se dříve předpokládalo. 1
|
|
|
Time-resolved measurement of optical gain in silicon based nanostructures
Ondič, Lukáš
3 Název práce: Časově rozlišené měření optického zisku křemíkových nanostruktur Autor: Bc. Lukáš Ondič Katedra: Katedra chemické fyziky a optiky Vedoucí diplomové práce: Prof. RNDr. Ivan Pelant, DrSc., Fyzikální ústav AVČR, Praha e-mail vedoucího: pelant@fzu.cz Abstrakt: Cílem této diplomové práce je studium optických vlastností materiálu připraveného z křemíkových nanokrystalů (Si-ncs) v SiO2 matrici. Námi použitá metoda přípravy (elektrochemické leptání a doleptávaní v H2O2) umožňuje výrobu Si-ncs se středním průměrem 2-3 nm zabudovaných do matrice SiO2 ve vysokých koncentracích ∼ 1019 Si-ncs/cm3 . Zaměřili jsme se na studium jejich fotoluminis- cenčních (PL) vlastností a na měření koeficientu optického zisku. Časově rozlíšená PL emisní spektra odhalila existenci dvou emisních komponent - "rychlé" komponenty (∼ 435 nm) s dohasínáním na nanosekundové časové škále a "pomalé" komponenty (∼ 600 − 620 nm) s µs časem doznívaní. Navíc jsme pozorovali "zelený" emisní pás (∼ 500 nm), a to jen v krátkém detekčním okně v průbehu pulzní excitace a krátce po ní. Pro časově rozlišené měření optického zisku jsme použili techniku Vari- able Stripe Length (VSL) v kombinaci s technikou Shifting Excitation Spot (SES),...
|
|
|
Generace součtové frekvence v daleké UV oblasti
Martínek, Miroslav ; Kozák, Martin (vedoucí práce) ; Ondič, Lukáš (oponent)
Nelineární optika je oblastí optiky vysokých polí, ve které již nelze závislost polarizace látky na intenzitě elektrického pole optického záření považovat za lineární. To má významné důsledky pro praxi, jelikož v přiblížení nelineární optiky již neplatí princip superpozice. Je tedy možné ovlivňovat světlo, šířící se materiálem, jiným, intenzivním zářením. Nelineárně optické jevy jsou důležité zejména pro laserové technologie, protože umožňují pomocí různých interakcí generovat světlo na různých vlnových délkách. Tato bakalářská práce je zaměřena na studium generace součtové frekvence v daleké ultrafialové (UV) oblasti spektra. Jako zdroj záření byl použit femtosekundový laserový systém. Cílem práce bylo jednak teoreticky popsat generaci pomocí nelineární vlnové rovnice a spočíst závislost úhlu sfázování na generované vlnové délce. Teoretická závislost byla poté experimentálně ověřena v laboratoři. Práce se dále zabývá měřením energie generovaných pulzů a studiem účinnosti procesu generace součtové frekvence pro pulzy v spektrální oblasti 215- 250 nm. Generované pulzy budou dále sloužit k excitaci elektron-děrových párů v diamantu.
|
|
|
Silicon nanocrystals, photonic structures and optical gain
Ondič, Lukáš ; Herynková, Kateřina (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent) ; Lauret, Jean-Sebastien (oponent)
Křemíkové nanokrystaly (SiNCs) menší než cca 5 nm jsou materiálem s účinnou foto- luminiscencí (PL) za pokojové teploty, která vykazuje i optický zisk. Optický zisk je nutná podmínka k dosažení stimulované emise z vybuzeného materiálu a právě dosažení stimulované emise (a laserování) z nanostruktur na bázi Si je důležité z pohledu křemíkové fotoniky. Cílem této práce bylo (i) studovat fundamentální optické vlastnosti SiNCs, (ii) navrhnout a připravit fotonický krystal se zvýšenou extrakcí světla a (iii) prostudovat možnost zvýšení optického zisku SiNCs jejich zabudováním do dvoudimenzionálního fotonického krystalu. Nejdříve byly pomocí elektrochemického leptání Si desky připraveny oxidem (SiOx/SiO2) pasivované SiNCs. Jejich optické vlastnosti byly prostudovány použitím časově rozlišené spektroskopie, a to i za nízkých teplot. Rychlý modrozelený emisní pás SiNCs byl interpretován jako kvazipřímá rekombinace horkých elektronů s dírami v blízkosti bodu Γ. Dále bylo ukázáno, že spektrální posuv pomalého oranžověčerveného pásu SiNCs s teplotou je důsledkem souhry tlakové a teplotní změny zakázaného pásu objemového Si. Koeficient optického zisku byl měřen metodou "Proužku s proměnnou délkou"...
|
|
|
Time-resolved measurement of optical gain in silicon based nanostructures
Ondič, Lukáš
3 Název práce: Časově rozlišené měření optického zisku křemíkových nanostruktur Autor: Bc. Lukáš Ondič Katedra: Katedra chemické fyziky a optiky Vedoucí diplomové práce: Prof. RNDr. Ivan Pelant, DrSc., Fyzikální ústav AVČR, Praha e-mail vedoucího: pelant@fzu.cz Abstrakt: Cílem této diplomové práce je studium optických vlastností materiálu připraveného z křemíkových nanokrystalů (Si-ncs) v SiO2 matrici. Námi použitá metoda přípravy (elektrochemické leptání a doleptávaní v H2O2) umožňuje výrobu Si-ncs se středním průměrem 2-3 nm zabudovaných do matrice SiO2 ve vysokých koncentracích ∼ 1019 Si-ncs/cm3 . Zaměřili jsme se na studium jejich fotoluminis- cenčních (PL) vlastností a na měření koeficientu optického zisku. Časově rozlíšená PL emisní spektra odhalila existenci dvou emisních komponent - "rychlé" komponenty (∼ 435 nm) s dohasínáním na nanosekundové časové škále a "pomalé" komponenty (∼ 600 − 620 nm) s µs časem doznívaní. Navíc jsme pozorovali "zelený" emisní pás (∼ 500 nm), a to jen v krátkém detekčním okně v průbehu pulzní excitace a krátce po ní. Pro časově rozlišené měření optického zisku jsme použili techniku Vari- able Stripe Length (VSL) v kombinaci s technikou Shifting Excitation Spot (SES),...
|
|
| |
host ::
RSS.