|
|
Selektivní růst GaN na SiN
Hulva, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na této vrstvě jsou litografickou metodou lokální anodické oxidace (LAO) připraveny oxidové struktury. Tyto substráty mohou být dále modifikovány odleptáním oxidových struktur kyselinou fluorovodíkovou. Modifikované substráty jsou použity pro depozici gallia nebo gallium nitridu v podmínkách ultravysokého vakua. Poté je studováno uspořádávání deponovaného materiálu v oblastech povrchů modifikovaných LAO. Chemické složení vrstev je studováno pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a úhlově závislé XPS (AR-XPS), morfologie povrchů je měřena pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM).
|
|
|
Funkcionalizované nanostruktury
Váňa, Rostislav ; Kvapil, Michal (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá funkcionalizovanými nanostrukturami. V první části jsou zmíněny materiály vhodné pro funkcionalizaci, využití funkcionalizovaných nanostruktur v oblasti medicíny a biochemie a metody detekce změn optických vlastností. Ve druhé části jsou zkoumány změny optických vlastností nanostruktur po funkcionalizaci pomocí spektroskopické elipsometrie a FTIR spektroskopie.
|
|
|
Návrh iontového zdroje pro odprašování
Glajc, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem nového typu iontového zdroje. Jejím cílem je navrhnout iontový zdroj se sedlovým polem pro odprašování. Inovací ve vypracovaném návrhu je kombinace klasického válcově symetrického iontového zdroje a žhavené katody vyrobené z wolframu. V první části práce je uvedena rešerše problematiky iontových zdrojů. Druhá část se zabývá elektronově-optickým návrhem zdroje a simulací elektrostatického pole včetně trajektorií elektronů a iontů. Jsou také odhadnuty některé parametry iontového zdroje. V třetí části je detailně popsán konstrukční návrh založený na předchozích simulacích. Součástí práce je kompletní výkresová dokumentace.
|
|
|
Morfologie ostrůvků germania v přítomnosti gallia a zlata
Pejchal, Tomáš ; Čechal, Jan (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá morfologií ostrůvků germania v přítomnosti zlata, stříbra a gallia, připravených na povrchu Ge(111) pomocí napařování za podmínek UHV. V práci je představena rešerše povrchových rekonstrukcí uvedených kovů na povrchu Ge(111). Je ukázáno, že koncentrace, velikost i tvar ostrůvků závisí na přítomnosti jednotlivých kovů i teplotě depozice. Povrchová struktura a morfologie vzorků byly studovány metodami RHEED a SEM.
|
|
|
Modelování růstu polovodičových nanovláken
Kovács, Roland ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá modelováním růstu polovodičových nanovláken. Práce obsahuje popis mechanizmu růstu pomocí metody vapor-liquid-solid (VLS). Hlavním cílem je simulace rozložení materiálu v eutektické kapce v počáteční fázi růstu. Byly vytvořeny matematické modely, které popisují různé situace difuze materiálu v kapce. Simulační model je naprogramován v prostředí MATLAB.
|
|
| |
|
|
Studium růstu ultratenkých vrstev Au
Beránek, Jiří ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této práce je studium růstu ultratenkých vrstev zlata. Vrstvy byly připraveny metodou molekolární svazkové epitaxe (Molecular beam epitaxy - MBE) v podmínkách ultravysokého vakua na různě modifikované křemíkové substráty za různých teplot. Následná analýza získaných vzorků byla zaměřena na zjištění tloušťky vrstev (ToF - LEIS) , morfologii (SEM, AFM) a chemické složení vzniklého povrchu (XPS). Vyhodnocení naměřených dat přispívá k popisu a porozumění některým procesům, probíhajícím při depozici zlata a po následném vystavení již hotového vzorku vzorku vysokým teplotám. Dosažené výsledky zároveň poskytují východisko dalším experimentům a potenciálním aplikacím.
|
|
|
Tvorba nanostruktur pomocí fokusovaného iontového svazku
Bartoš, Radko ; Tomanec, Ondřej (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářské práce se zabývá problematikou obrábění iontovým svazkem. Jsou představeny přístroje, které se pro tuto metodu používají, a možnosti různých druhů nastavení počátečních podmínek, které mají za následek odlišný výsledný tvar nanostruktur. V práci je popsána metodika tvorby a měření vytvořených nanostruktur. Ze získaných výsledků jsou odvozena vhodná nastavení iontového svazku tak, aby získané nanostruktury měly požadovaný tvar.
|
|
|
Výroba membrán pomocí anizotropního leptání křemíku
Balajka, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá přípravou membrán z oxidu křemičitého (SiO2) na křemíkovém (Si) substrátu pomocí anizotropního leptání křemíku. Masky pro anizotropní leptání křemíku byly vytvořeny pomocí elektronové litografie a chemického leptání SiO2. V práci jsou popsány jednotlivé kroky postupu přípravy membrán včetně použitých experimentálních podmínek. Za účelem optimalizace pracovního postupu bylo provedeno několik měření rychlosti leptání Si/SiO2 v různých roztocích. Výsledky těchto měření jsou zde rovněž uvedeny. Připravené membrány byly charakterizovány pomocí optické mikroskopie, rastrovací elektronové mikroskopie a spektroskopické reflektometrie. Součástí práce je i popis metod použitých pro přípravu a analýzu definovaných struktur připravených pomocí anizotropního leptání křemíku.
|
|
|
Příprava trojvrstev Ag/Co/Ag
Burda, Pavel ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Bakalářská práce je věnována přípravě a studiu ultratenkých vrstev stříbra a kobaltu. Z těchto materiálů jsou tvořeny vrstvy na křemíkových substrátech. Substráty tvoří povrchově upravený krystalický křemík (SiO2/Si(111), Si(111) ?H, Si(111) 7×7) a amorfní SiO2 ve formě křemenného skla. Růst vrstev je prováděn pomocí epitaxe molekulárním svazkem (MBE) za využití efuzní cely. Na vzorek připravený z uvedených substrátů je postupně deponována vrstva stříbra, poté kobaltu a stříbra. Tloušťka každé vrstvy je 6 nm. Vrstvy jsou studovány užitím metod rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Typ růstu vrstvy se zásadně liší u různých povrchových úprav substrátu. Výsledkem jsou připravené trojvrstvy Ag/Co/Ag na SiO2/Si(111) a Si(111) 7×7, které lze využít v oblasti plazmoniky a lze magnetickým polem ovlivnit chování povrchových plazmonových polaritonů.
|
host ::
RSS.