Název: Srovnání a optimalizace topologií pro DC/DC konverzi energie s použitím technologie GaN FET pro měniče s vysokou účinností a objemovou hustotou výkonu
Překlad názvu: Comparison and Optimization of DC/DC Power Conversion Topologies Using GaN FET Technology for High Efficiency and Power Density Power Converters
Autoři: Šír, Michal ; Drábek,, Pavel (oponent) ; Lettl, Jiří (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Disertační práce
Rok: 2022
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [eng] [cze]
Táto práca je zameraná na analýzu súčastného stavu GaN polovodičovej techniky vo výkonovej elektronike a jej aplikáciu v DC/DC meničoch, optimalizovaných na účinnosť a vysokú objemovú hustotu výkonu s cielom použitia v serveroch a telekomunikačných zariadeniach. Teoretická časť analyzuje problémy a výzvy spojené s novou technológiou GaN, ako napríklad riadenie hradla pre rôzne vnútorné štruktúry dostupné na trhu, optimalizácia plošných spojov pre chladenie minimalizovaných púzdier pre povrchovú montáž s cielom minimalizovať parazitné prvky. V práci je zahrnutý presný výpočet strát pre aktívny usmerňovač realizovaný pomocou novej technológie GaN. Výsledky a nápady získané teoretickou analýzou rôznych problémov sú aplikované pri návrhu prototypu a overené sériou meraní, ktoré dokazujú výhody novej technológie a jej potenciál ovplyvniť aplikácie výkonovej elektroniky okolo nás. Zahrnutý je podrobný popis merania prúdu s veľkou šírkou pásma, fungovania regulačnej slučky a jej implementácie v digitálnom signálnom procesore. Focus of this thesis is the analysis of the current state of GaN semiconductor technology in power electronics and its application on DC/DC converter, optimized for high efficiency and high power density with the intention to use it in server and telecom applications. The theoretical part analyzes problems and challenges related to novel GaN technology, such as gate driving for various internal structures, layout optimization for cooling of minimized surface mount packages without constraining parasitic elements affecting switching performance. Precise losses calculation for totem-pole power factor correction converter using novel GaN technology is included. Results and ideas resulting from theoretical analysis of various problems are applied in the design of prototype and verified by series of measurements, proving the benefits of novel technology and its potential to impact power electronics applications around us. Deep description of current measurement technique with high bandwidth, control loop operation and its implementation in digital signal processor is included.
Klíčová slova: Cooling of minimized surface mount devices; Dynamic RDSon; Gallium Nitride semiconductors; GaN Totem Pole converter; High Efficiency GaN half bridge; Novel RDSon Measurement method; Chladenie minimalizovaných púzdier pre povrchovú montáž; Dynamický RDSon; GaN polovodiče; Nová metóda merania dynamického RDSon; Vysoko účinný menič s GaN

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/203991

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-547969


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Disertační práce