Název:
Odvrstvování polovodičových čipů
Překlad názvu:
Delayering of semiconductor chips
Autoři:
Valachovič, Marek ; Adámek, Martin (oponent) ; Búran, Martin (vedoucí práce) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2023
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze][eng]
Tato práce popisuje jednotlivé vrstvy, ze kterých je polovodičový čip složen, typy pouzder, do kterých může být zapouzdřen a způsoby propojení čipu s pouzdrem. Dále jsou zde popsány metody dekapsulace zapouzdřeného čipu a jeho následné odvrstvování pomocí několika různých způsobů, jako je mechanicky, chemicky, plazmaticky či pomocí řízeného iontového svazku. Metody mechanického a chemického odvrstvování vrstev polovodičového čipu spolu s metodou odvrstvování řízeným iontovým svazkem za pomoci plynu jsou prakticky provedeny.
This work describes the individual layers of whitch the semiconductor chip is composed, the types of packages in witch it can be encapsulated and the methods of connecting the chip with the package. Furthermore, the methods of dacapsulating the encapsulated chip and delayering using several different methods, such as mechanical, chemical, plasmatic, or using an focused ion beam, are describe here. The methods of mechanical and chemical delayering of the layers of the semiconductor chip togeaher with dalayering by focused ion beam with the help of gas are practically performed and recorded.
Klíčová slova:
chemické leptání; dekapsulace; EDX.; FIB; odvrstvování polovodičového čipu; parallel polishing; pouzdra; RIE; Vrstvy polovodičového čipu; chemical etching; decapsulation; delayering of semiconductor chip; EDX.; FIB; Layers of semiconductor chip; packages; parallel polishing; RIE
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/210024