Název:
Characteristics Of Gallium Arsenide Solar Cellsat High Temperature
Autoři:
Papež, Nikola Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk:
eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt:
This article reviews a work on processing of gallium arsenide (GaAs) solar cells. The performance of the cells before and after 300 _x000E_C thermal processing was correlated with topography identified by optical camera, atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM). Experiment indicates insignificant changes in topography of GaAs solar cells, but electrical characteristics show an excellent resistance of the samples to processing temperature.
Klíčová slova:
AFM; GaAs; processing; SEM; solar cells; topography Zdrojový dokument: Proceedings of the 23st Conference STUDENT EEICT 2017, ISBN 978-80-214-5496-5
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/187189