Název: Morphological Structure Of Solar Cells Based On Silicon And Gallium Arsenide After Ion Etching
Autoři: Papež, Nikola
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: Study deals with the investigation of the surface after ion etching on two types of solar cells – based on widely available polycrystalline silicon and on durable gallium arsenide for use in more demanding environments. Solar cell morphology was compared using an electron microscope together with an Energy Dispersive X-ray detector to show distribution ratios of elements. Atomic force microscopy was used to accurately describe the heights and roughness structure. Raman spectroscopy to study of vibrational properties and the stress investigations.
Klíčová slova: AFM; EDX; GaAs; ion bombardment; RIE; SEM; Si
Zdrojový dokument: Proceedings of the 24th Conference STUDENT EEICT 2018, ISBN 978-80-214-5614-3

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/138287

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-393473


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference