Název: Vliv vrstev nitridu křemíku na difuzní délku minoritních nosičů v Si
Překlad názvu: Effect of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in c-Si wafers
Autoři: Toušek, J. ; Toušková, J. ; Poruba, A. ; Bařinka, R. ; Hlídek, P. ; Lorinčík, Jan
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Česká fotovoltaická konference /2./, Brno (CZ), 2006-06-12 / 2006-06-14
Rok: 2006
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Hlavním cílem práce bylo porovnání nitridu křemíku připraveného metodami LP CVD a MW PE CVD ze silanu a čpavku s ohledem na možnost pasivace c-Si povrchových vrstev. Vlastnosti vrstev nitridu křemíku byly studovány metodami SPV, FTIR a SIMS. Průměrná hodnota difuzní délky minoritních nosičů v Si vzorcích s LP CVD nitridem byla kratší a závisela na místě v reaktoru. The main purpose of this work was the comparison of the silicon nitride prepared by the LP CVD and by the MW PE CVD from silane and ammonia gases with respect to the possibility of passivation c-Si surface layer. The properties of the silicon nitride films were studied by the surface photovoltage (SPV), FTIR and SIMS methods. The average value of the diffusion length of minority carriers in the Si samples with the LP CVD nitride was shorter and dependent on the location in the reactor.
Klíčová slova: hydrogen; plasma; solar cells
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20670512 (CEP)
Zdrojový dokument: 2. Česká fotovoltaická konference. Sborník příspěvků, ISBN 80-239-7361-4

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0146479

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-37210


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference