Název:
Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM
Překlad názvu:
Dopant contrast imaged with SE in SEM
Autoři:
Mika, Filip ; Frank, Luděk Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Mikroskopie 2006, Nové Město na Moravě (CZ), 2006-02-16 / 2006-02-17
Rok:
2006
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí,bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ.The dopant contrast in SEM has now been studied for more than a decade, a clear explanation of it remains a matter for the future. Generally, p-type silicon appears brighter in the secondary electron (SE) emission than n-type.
Klíčová slova:
dopant contrast; SEM Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP) Zdrojový dokument: Mikroskopie 2006
Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0140970