Název:
Physical properties of InP epitaxial layers prepared with dysprosium admixture
Autoři:
Grym, Jan ; Procházková, Olga Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Workshop 2003. Annual University-Wide Seminar /10./, Prague (CZ), 2003-02-10 / 2003-02-12
Rok:
2003
Jazyk:
eng
Edice: CTU Reports., svazek: 7, 2003 Sp. Issue
Abstrakt: Physical properties of commonly prepared InP layers grown by LPE technique and those grown from Dy treated melt are compared. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a significant dependence on the presence of Dy and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Dy the reversal of electrical conductivity occurs.
Klíčová slova:
III-V semiconductors; liquid phase epitaxial growth; rare earth elements Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), KSK1010104 Projekt 04/01:4043 (CEP), GA102/03/0379 (CEP) Poskytovatel projektu: GA AV ČR, GA ČR Zdrojový dokument: Proceedings of Workshop 2003
Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0114298