Název: Characterisation of InP layers prepared by the LPE method with Pr and Nd addition in the growth melt
Autoři: Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Workshop 2001, Prague (CZ), 2001-02-05 / 2001-02-07
Rok: 2001
Jazyk: eng
Edice: CTU Reports., svazek: Vol. 5, 2001 Sp. Issue
Abstrakt: High purity InP epitaxial layers were grown by LPE from the melt conataining, besides essential components, also rare-earth elements admixture. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. The behaviour and the impact of Pr and Nd were compared. The concentration of shallow impurities was reduced by up to three orders of magnitude. PL spectra were markedly narrowed and fine spectral features were resolved.
Klíčová slova: III-V semiconductors; liquid phase epitaxial growth; rare earth compounds
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), GA102/99/0341 (CEP), KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, GA AV ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of Workshop 2001

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0114052

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32490


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference