Název: Effect of LPE-growth buffer layer in the InGaAsP/InP systems
Autoři: Novotný, Jan ; Procházková, Olga
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Joint Seminar on Development of Materials in Research and Educations - DMS-RE'94 /4./, Dobřichovice (CZ), 1994-09-19 / 1994-09-21
Rok: 1994
Jazyk: eng
Klíčová slova: crystal defects; liquid phase epitaxial growth
Číslo projektu: 102/93/0642
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: DMS-RE'94 Development of Materials Science in Research and Education. Abstracts

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0112994

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32208


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference