Název: Observation of Multilayer Semiconductor Structures in the Scanning Electron Microscope
Překlad názvu: Pozorování vícevrstvých polovodičových struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu
Autoři: Wandrol, Petr ; Matějková, Jiřina ; Autrata, Rudolf
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Electronic Devices and Systems EDS'05, Brno (CZ), 2005-09-15 / 2005-09-16
Rok: 2005
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]
This work deals with problems related to the observation of semiconductor specimens in the scanning electron microscope. It was found that the best method for the localization of defects in the semiconductor structure cross sections is the imaging of their material contrast by the scintillation detector of backscattered electrons. This detector also can effectively suppress the influence of specimen charging on the image. Práce se zabývá problémy vznikajícími při pozorování polovodičových vzorků v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Zvláštní pozornost je věnována scintilačnímu detektoru zpětně odražených elektronů, který je pro tento účel velmi vhodný. Jednak díky možnosti pozorovat materiálový kontrast vzorku a tím přesně rozlišit jednotlivé vrstvy vzorku. A také protože se při snímání obrazu tímto detektorem neprojevuje tolik nabíjení méně vodivých vrstev vzorku, jako u detektorů sekundárních elektronů.
Klíčová slova: detection; multilayer semiconductor structures; scanning electron microscope
Číslo projektu: KJB200650501 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR
Zdrojový dokument: Proceedings EDS'05 - Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2005, ISBN 80-214-2990-9

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0111544

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-31976


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference