Original title: Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC
Translated title: Diagnostic of semiconductor materials by EBIC method
Authors: Davidová, Lenka ; Máca, Josef (referee) ; Čudek, Pavel (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2017
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract: [cze] [eng]
Diplomová práce je zaměřena na diagnostiku polovodičových materiálů metodou EBIC (měření proudů indukovaných svazkem), stanovování doby života minoritních nosičů, resp. jejich difuzní délky. V teoretické části práce je uveden princip rastrovacího elektronového mikroskopu, jeho charakteristické vlastnosti mikroskopu a signály vznikající při interakci svazku primárních elektronů se vzorkem. Dále je v práci popsána struktura polovodivého křemíku, jeho pásové modely, typy poruch krystalové mříže a vytvoření nevlastních polovodičových struktur. Následně je popsána teorie výpočtu doby života minoritních nosičů náboje a výpočty difuzní délky minoritních nosičů náboje v polovodičích typu N a P. Cílem experimentální části práce je měření vlastností polovodičových struktur metodou EBIC a stanovení difuzní délky a doby života minoritních nosičů náboje na základě změřených dat. Master´s thesis is focused on diagnostics of semiconductor materials by EBIC method (measuring of currents induced beam), determination of the lifetime of minority carriers, or their diffusion length. The theoretical part is aimed at the principle of scanning electron microscopy, the characteristic properties of the microscope and the signals generated by the interaction of the primary electron beam with the sample. The thesis describes a structure of semiconducting silicon, band models, types of lattice defects and doped of semiconductor structures. After that it is described the theory of calculation of the diffusion length of minority carriers in semiconductors of type N and P. The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers based on the measured data The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers on the basis of the measured data.
Keywords: acceleration voltage.; carrier lifetimes; diffusion length; EBIC; extrinsic semiconductor; intrinsic semiconductor; PN junction; Scanning electron microscope; difuzní délka nosičů; doba života nosičů; EBIC; nevlastní polovodič; PN přechod; Rastrovací elektronový mikroskop; urychlovací napětí.; vlastní polovodič

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/67147

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-319289


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses