Název:
Studium růstu 1-D struktur obsahujících atomy kovů III a IV skupiny pomocí STM
Překlad názvu:
STM study of growing 1D nanostructures composed by III and IV group atoms
Autoři:
Kučera, Michael ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2011
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Práce se zabývá studiem struktur Al a Sn na povrchu Si(100) s rekonstrukcí 2$\times$1 pomocí STM. Jsou studovány zvláštnosti zobrazování a morfologie kovových struktur. Z STM měření jsou pro Al a Sn získány růstové charakteristiky pro různá pokrytí a pro různé teploty povrchu při depozici. Je ukázáno, že rozdělení velikostí ostrůvků pro oba kovy je škálovatelné a má pro Al a Sn kvalitativně odlišný charakter. Pro interpretaci růstových charakteristik a získání neznámých mikroskopických parametrů byl vytvořen programový nástroj pro kinetické Monte Carlo (kMC) simulace růstu hliníku.In the presented work we study Al and Sn on a Si(100)2$\times$1 surface by means of STM. Peculiarities of displaying and morphology of metallic structures are investigated. Utilizing the STM to investigate Al and Sn, we obtain the growth characteristics for various coverage and temperatures at deposition. It is shown, that island size distribution is scalable for both metals and has a qualitatively different character. In order to interpret the growth characteristics and obtain unknown microscopic parameters, a new software tool for kinetic Monte Carlo (kMC) simulations of aluminum was conceived.
Klíčová slova:
rozdělení délek ostrůvků; růst tenkých vrstev; STM; škálování; growth of thin films; island size distribution; scaling; STM