Název:
Elektrochemické leptání křemíku
Překlad názvu:
Electrochemical etching of silicon
Autoři:
Vrzal, Pavel ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Elektrochemické leptání nachází uplatnění při modifikaci polovodičových materiálů. Pomocí této metody lze připravit širokou škálu struktur, které lze využít v biotechnologiích, nanotechnologiích nebo elektronice. Mezi tyto struktury patří porézní křemík. Úkolem bakalářské práce byla příprava porézního křemíku pomocí elektrochemického leptání a studium jeho vlastností. Nejdříve byla provedena obecná studie, ve které byla věnována pozornost vlastnostem porézního Si a možnostem jeho výroby. Experimentální část se zabývá návrhem leptací cely pro elektrochemické leptání a přípravou porézního křemíku chemickou a elektrochemickou metodou. Vytvořené struktury byly následně analyzovány pomocí rastrovací elektronové mikroskopie. Pozornost byla také zaměřena na fotoluminiscenční vlastnosti porézního křemíku.
The electrochemical etching is very used technique for semiconductor materials modification. Different structures which find applications in many fields (biotechnology, nanotechnology or electronics) can be prepared by this technique. The task of bachelor’s thesis was preparation of porous silicon using electrochemical etching. At first, a study dedicated to porous Si was carried out. Experimental part of this work deals with a design of etching cell which was used for preparation of porous silicon by electrochemical etching. In addition, the porous Si was prepared by metal assisted chemical etching. Subsequently, created structures were analyzed by scanning electron microscopy. Photoluminescence properties of porous silicon were studied as well.
Klíčová slova:
elektrochemické leptání; fotoluminiscence; katalyzované chemické leptání; kyselina fluorovodíková; Křemík; leptací cela; nanočástice; porozita; porézní křemík; SEM; electrochemical etching; etching cell; hydrofluoric acid; metal assisted chemical etching; nanoparticles; photoluminescence; porosity; porous silicon; SEM; Silicon
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/62310