Název: Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech
Překlad názvu: Selective growth of GaN nanostructures on silicon substrates
Autoři: Knotek, Miroslav ; Novák, Tomáš (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2015
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: elektronová litografie; GaN; HSQ rezist; povrchová difúze; selektivní růst.; tenké vrstvy; electron beam lithography; GaN; HSQ resist; selective growth.; surface diffusion; thin films

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/41212

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-232076


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce
 Záznam vytvořen dne 2016-06-03, naposledy upraven 2022-09-04.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet