Název: Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru
Překlad názvu: Semiconductors structures , charge collection method
Autoři: Golda, Martin ; Čudek, Pavel (oponent) ; Špinka, Jiří (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2014
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Práce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů. This thesis treats about semiconducting silicon structures. It describes the characteristics of the element and creation of P and N type of semiconductor and discusses about different types of faults in the crystal lattice. It deals with the description of methods for monitoring faults in semiconductor ie. determining the properties of semiconductors via EBIC, EBIV and CC methods, which are used for analysis of semiconductor devices and materials. Determining the properties of silicon components is being done by generation of charge carriers in the sample loaded in chamber of the scanning electron microscope by high energy electrons. Bellow the sample surface is being generated an electric charge which is being collected by probes. Using this data obtained by EBIC and CC were evaluated diffusion length and lifetime of electrons.
Klíčová slova: difúzní délka.; doba života; EBIC; generace nábojů; křemík; nábojový sběr; PN přechod; poruchy krystalu; carrier generation; carrier life time; charge collection; crystal defects; diffusion length; EBIC; PN junction; Silicon

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/32571

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-220953


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce